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通過實驗TDK貼片電容確定有三個重要參數可幫助設計工程師確定最佳的ESD電容器值: (1)擊穿電壓、(2)電容量和(3)直流偏壓。
通過電源電壓(VO)和充電電容器(CO)保持不變,測定電壓(VX)和電容器電容器(CX)之間的關系成反比。這表示選擇的CX值越高,VX越小。
為說明電容器效應,以1000pF 電容器 (CX)的4kV (VO) ESD要求為例。同時還假定我們采用的是使用CO=150pF的AEC-Q200試驗方法。DUT效應關系顯示印加4kV時,CX只顯示521.7V (VX)。
直流偏壓大多是由于電介質材料。當然其它設計和結構因素也起一定作用。對于Class I電介質(如:C0G)變化相對較小。對于Class II(如:X7R和X5R),您可能會看到剛開始電容量略微增加,但隨即在您接近額定電容量時穩(wěn)定下降。通常對于Class II電介質,直流偏壓介于-10%到-70%之間。
隨著施加電壓增加,有效電容量下降。直流偏壓是可重復的,只要您不超過額定電壓,對電容器性能或壽命都不會造成嚴重影響。